机译:纳米线隧道FET,由于负电容和电压循环效应,同时降低了分暑中亚阈值摆动和偏压
Ecole Polytech Fed Lausanne Lausanne Switzerland;
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Lund Univ Lund Sweden;
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Lund Univ Lund Sweden;
Ecole Polytech Fed Lausanne Lausanne Switzerland;
Nanowire; Tunnel FET; Ferroelectric; Negative Capacitance; Voltage Pinning;
机译:纳米线隧道FET,由于负电容和电压循环效应,同时降低了分暑中亚阈值摆动和偏压
机译:In2O3纳米线场效应晶体管,具有来自负电容及其逻辑应用的Sub-60 MV / DEC亚阈值摆动
机译:双源U形通道的负电容隧穿场效应晶体管设计,超陡亚阈值摆幅和大型导通电流
机译:基于亚阈值摆幅的隧道FET关断电流计算:一种新方法
机译:用于低功率计算的低于10nm晶体管:隧道FET和负电容FET
机译:同时减少亚热离子的纳米线隧道FET负电容和亚阈值摆幅和关断电流电压固定效应
机译:负电容隧道场效应晶体管:一种新型器件 低亚阈值摆幅和高导通电流