...
机译:二元氧化物和卤化物带隙与带隙的电子密度和粘合长度的相关性
Kim II Sung Univ Dept Phys Ryongnam Dong Taesong Distric South Korea;
Kim II Sung Univ Dept Phys Ryongnam Dong Taesong Distric South Korea;
Kim II Sung Univ Dept Phys Ryongnam Dong Taesong Distric South Korea;
Kim II Sung Univ Dept Phys Ryongnam Dong Taesong Distric South Korea;
chemical bond; electronic band gap; halide; Hohenberg-Kohn theorem; oxide;
机译:二元氧化物和卤化物带隙与带隙的电子密度和粘合长度的相关性
机译:可移动的张米单重态:氧化铜中的电子相关性和键长波动
机译:粘合金属性措施对二元氧化物电负性的相关性
机译:氧化物和氢氧化物光带间隙与其成分的电负性的半血流相关性
机译:会聚束电子衍射法测定四方二元金属互化物中的电子密度和键合。
机译:电子和空穴的俄歇复合的统计带隙中的缺陷水平—在卤化钙钛矿中的应用
机译:层状铜中的电子相关和键长波动 氧化物:电子与空穴掺杂
机译:轨道杂交中键长和键强的相关性。