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首页> 外文期刊>材料とプロセス: 日本鉄鋼協会講演論文集 >(S328)蛍光収量法による軟X 線XAFS の分析深さの検討 (2)
【24h】

(S328)蛍光収量法による軟X 線XAFS の分析深さの検討 (2)

机译:(S328)通过荧光产生法(2)检查软X射线XAFS的分析深度

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摘要

前報では3d 遷移金属元素のL 吸収端XAFS による分析深さを10~250nm の酸化物薄膜を用いて測定を試みた。その結果、部分電子収量法(PEY)と全電子収量法(TEY)では10nm 以下、部分蛍光収量法(PFY)ではL2 吸収端で50nm 前後と推定できた。一方、PFY のL3 吸収端では、いわゆる自己吸収によると考えられる効果が顕著で、信頼できる分析深さを求めることができなかった。そこで本報では、NiO を対象としてその薄膜を用いてL 吸収端の分析深さをPFY とともに自己吸収がないと言われる逆部分蛍光法(IPFY)2)で検討し、L 吸収端のPFY およびIPFYの吸収効果のないXAFS スペクトルを推定した結果を報告する。
机译:在先前的报告中,我们尝试使用10到250 nm的氧化物薄膜通过L吸收边缘XAFS测量3d过渡金属元素的分析深度。结果,估计在L 2吸收端的部分电子产率法(PEY)和总电子产率法(TEY)为10nm或更小,并且部分荧光产率法(PFY)为约50nm。另一方面,在PFY的L3吸收端,被认为是由于所谓的自吸收引起的效果是显着的,并且不可能获得可靠的分析深度。因此,在本报告中,使用NiO薄膜和L吸收边缘的PFY,通过反向部分荧光法(IPFY)2)研究了L吸收边缘的分析深度与PFY,该方法被认为没有自吸收。我们报告了在没有IPFY吸收效应的情况下估算XAFS光谱的结果。

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