机译:蓝宝石上堆叠缺陷减少GaN(1 0 1($)over-bar 3)的生长和表征
机译:蓝宝石上堆叠缺陷减少GaN(1 0 1($)over-bar 3)的生长和表征
机译:通过MOCVD在图案化蓝宝石衬底上生长的(11-22)半极性GaN中的缺陷减少方法:向无基础堆叠缺陷的异质外延半极性GaN迈进
机译:在蓝宝石上生长的半极GaN和发光二极管中的堆叠故障消除
机译:在r-plane蓝宝石中堆积鼠堆积故障的互动
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:共聚焦光致发光研究以识别基础堆叠缺陷在半极性InGaN / GaN发光二极管的光学特性中的作用
机译:锥形图案蓝宝石上GaN薄膜的MOCVD生长和表征