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机译:在蓝宝石上生长的半极GaN和发光二极管中的堆叠故障消除
Yale Univ Dept Elect Engn New Haven CT 06520 USA;
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Yale Univ Dept Elect Engn New Haven CT 06520 USA;
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Yale Univ Dept Mech Engn &
Mat Sci New Haven CT 06520 USA;
Yale Univ Dept Elect Engn New Haven CT 06520 USA;
heteroepitaxy; semipolar GaN; stacking faults; LEDs; surface kinetics;
机译:在蓝宝石上生长的半极GaN和发光二极管中的堆叠故障消除
机译:在m蓝宝石和条刻蚀r蓝宝石上生长的半极性(1122)GaN发光二极管的光发射特性
机译:扩散散射的三维倒数空间映射,用于研究从r型蓝宝石衬底的侧壁生长的半极性(112 2)GaN层中的堆叠缺陷
机译:蓝宝石上的半极性GaN发光二极管的光学特性
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:高质量的Semipolar GaN / Sapphire模板中生长高效的半极性IngaN长波长发光二极管和蓝色激光二极管的研制