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在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管

     

摘要

用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管.在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的.在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V).在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光.

著录项

  • 来源
    《发光学报》|2005年第4期|542-544|共3页
  • 作者单位

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

    中国科学院激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN383.1;
  • 关键词

    ZnO薄膜; p型掺杂; p-n同质结; 分子束外延;

  • 入库时间 2022-08-18 01:48:42

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