机译:交叉指状铂金手指几何形状对锗金属-半导体-金属光电探测器的光谱响应特性的影响
Ge; MSM PD; Pt Electrode; Photo Current; Spectral Response;
机译:交叉指状铂金手指几何形状对锗金属-半导体-金属光电探测器的光谱响应特性的影响
机译:由沟衬底上生长的GE脱落器制造的金属半导体 - 金属光电探测器的晶体和光电流的变化引起的阶段中的尺寸引起的校长PT指电极尺寸
机译:具有不对称电极几何形状的底部照明AlGaN基金属半导体金属光电探测器的EQE偏置特性
机译:改进的InAlAs / InGaAs叉指金属半导体金属光电探测器的光电混合
机译:基于锗的金属半导体金属光电探测器,用于1.550μm的光通信波长
机译:锰异质结光电探测器光谱响应范围从200 nm到2μm
机译:III-V族化合物半导体材料上的交叉金属 - 半导体 - 金属(msm)光电探测器。
机译:Tera-Hertz Gaas金属半导体金属光电探测器,具有25 nm的手指间距和手指宽度