机译:纳米尺度半导体的低k材料的氟基等离子体蚀刻过程中的表面降解机理
Low-k Materials; Plasma Etching; Ion Beam Etching; Neutral Beam Etching; Damage;
机译:纳米尺度半导体的低k材料的氟基等离子体蚀刻过程中的表面降解机理
机译:使用一氧化碳常压等离子体处理表面功能化而不会晶格降解高结晶度纳米碳材料
机译:碳氟等离子体中掺碳的Ge_2Sb_2Te_5相变材料的表面刻蚀机理
机译:表面粗糙度对多孔低k材料血浆诱导降解的影响
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保留低k完整性和高k栅堆叠蚀刻。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保护低k完整性和高k栅堆叠蚀刻
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻