机译:缓冲层厚度和外延层生长温度对MOCVD生长的InAs_(0.9)Sb_(0.1)晶体质量的影响
InAs_(0.9)Sb_(0.1); MOCVD; Two-step growth method;
机译:缓冲层厚度和外延层生长温度对MOCVD生长的InAs_(0.9)Sb_(0.1)晶体质量的影响
机译:通过薄的ZnSe缓冲层的低温生长提高(001)GaAs上生长的ZnSe外延层的质量
机译:缓冲液生长温度对LP-MOCVD法生长In_(0.82)Ga_(0.18)As / InP的晶体质量和光学性能的影响
机译:MOCVD缓冲层生长条件对GaN外延层质量的影响
机译:富铝氮化铝/氮化铝镓外延层和量子阱的MOCVD生长和表征。
机译:结晶质量组成均匀性碲沉淀物/夹杂物浓度光学传动光学传输和能带隙的Bridgman生长单晶CD1-xZnxte(0≤x≤0.1)
机译:在交叉阴影inyga1-yas缓冲层上生长的Ga1-xmnxas癫痫患者居里温度的增强