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机译:新的,更快的方法可以生长更大的SiC单晶
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机译:用两个坩埚的物理气相传输技术更快地生长6H-SiC单晶
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机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
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机译:通过CF-PVT法在4H-SiC上生长的体积<111> 3C-SiC单晶的表征