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【2h】

Characterization of Bulk <111> 3C-SiC Single Crystals Grown on 4H-SiC by the CF-PVT Method

机译：通过CF-PVT法在4H-SiC上生长的体积<111> 3C-SiC单晶的表征

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Laurence Latu-Romain; Didier Chaussende; Carole Balloud; Sandrine Juillaguet; L. Rapenne; Etienne Pernot; Jean Camassel; Michel Pons; Roland Madar;
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年度 2006
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