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New, Faster Method Grows Larger SiC Single Crystals

机译:新的,更快的方法可以生长更大的SiC单晶

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摘要

Sumitomo Metal Industries has managed to increase the rate of crystal growth of its technology for the production of silicon carbide single crystals from melted SiC, and moreover achieved a diameter of 2 inches and thickness of 0.05 cm.
机译:住友金属工业已经设法提高了其技术的晶体生长速率,该技术用于从熔化的SiC生产碳化硅单晶,而且直径达到2英寸,厚度达到0.05厘米。

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