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机译:富As InGaAs(001)2×4与富GaIn InGaAs(001)4×2上三甲基铝原子层沉积氧化物成核的原子成像
机译:富As InGaAs(001)2×4与富GaIn InGaAs(001)4×2上三甲基铝原子层沉积氧化物成核的原子成像
机译:La_2O_3界面层对原子层沉积沉积的Al_2O_3 / La_2O_3 / InGaAs栅叠层中InGaAs金属氧化物半导体界面性质的影响
机译:Al2O3 / InGaAs(100)界面的砷脱盖和原子前层沉积三甲基铝钝化
机译:In_(0.53)Ga_(0.47)As(001)衬底上MO_2(M = Zr,Hf)栅极电介质的三甲基铝原子层沉积
机译:铁(001)/氧化镁(001)/铁(001)隧穿磁阻结构的原子能级表征和自旋极化扫描隧道显微镜。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究