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机译:双倍增层和双电荷层的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增特性的理论研究
In0.53Ga0.47As/InP avalanche photodiodes (APD); Dead space; Excess noise factor; Mean gain;
机译:双倍增层和双电荷层的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增特性的理论研究
机译:乘法层对IngaAs / InP雪崩光电二极管暗电流分量的影响
机译:InP-InGaAs雪崩光电二极管在单独的吸收,分级,电荷和倍增中的倍增
机译:具有厚倍增层和电荷层的InP / InGaAs雪崩光电二极管的倍增特性
机译:单独的吸收,分级,电荷和倍增雪崩光电二极管
机译:等离子体场限制用于InGaAs纳米柱雪崩光电二极管中的单独吸收-倍增
机译:基于时域建模的InP / InGaAs雪崩光电二极管倍增层厚度的性能相关性