机译:原子层沉积的原位俄歇电子能谱研究:钌ALD在Si-H,SiO2和HfO2表面上的生长引发和界面形成反应
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; THIN-FILMS; RU; DIELECTRICS; CAPACITORS; OXIDES; METAL;
机译:原子层沉积的原位俄歇电子能谱研究:钌ALD在Si-H,SiO2和HfO2表面上的生长引发和界面形成反应
机译:GaAs(100)表面TiO2原子层沉积过程中表面反应的原位红外光谱研究
机译:SiO2表面ZrO2原子层沉积生长反应的量子化学研究。
机译:通过原子层沉积(ALD)优化HfO2的生长过程,用于高性能电荷陷阱闪存应用
机译:通过原子层沉积制备银催化剂以及使用Operando表面增强拉曼光谱研究原子层沉积反应。
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:远程等离子体原子层沉积生长HfO2薄膜及其HfO2 / Ge界面的性能
机译:原子层沉积法制备TiO2 / siO2催化剂的表面酸性和性质:紫外 - 可见漫反射,DRIFTs和可见拉曼光谱研究