机译:GaAs(100)表面TiO2原子层沉积过程中表面反应的原位红外光谱研究
UMBC, Dept Phys, Baltimore, MD 21250 USA;
UMBC, Dept Phys, Baltimore, MD 21250 USA;
UMBC, Dept Phys, Baltimore, MD 21250 USA;
Atomic layer deposition; Infrared spectroscopy; Interface cleaning; Dielectrics; Alkylamide precursors; Gallium arsenide;
机译:GaAs(100)表面HfO
机译:GaAs(100)表面HfO_2原子层沉积过程中界面自清洁的原位红外光谱研究
机译:原子层沉积的原位俄歇电子能谱研究:钌ALD在Si-H,SiO2和HfO2表面上的生长引发和界面形成反应
机译:HfO_2,ZrO_2和Al_2O_3在羟基化Si(100)表面原子层沉积中的竞争反应:密度泛函理论研究
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:气相红外光谱法得出的Pt原子层沉积过程中的表面反应
机译:电化学原子层外延法在au(100),(110)和(111)表面沉积Gaas的初步研究