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机译:碳纳米管辅助的Si掺杂GaN纳米表观提高InGaN / GaN发光二极管的性能
carbon nanotubes; nanoepitaxy; Si-doped GaN; stress relaxation; multi-quantum wells; efficiency droop;
机译:碳纳米管辅助的Si掺杂GaN纳米表观提高InGaN / GaN发光二极管的性能
机译:含Si重掺杂GaN过渡层的375 nm紫外InGaN / AIGaN发光二极管的生长模式,内部量子效率和器件性能的研究
机译:具有InGaN / GaN超晶格和梯度组成的InGaN / GaN超晶格中间层的InGaN发光二极管的性能增强
机译:通过使用重掺杂Si的GaN生长模式过渡层实现高性能375 nm紫外InGaN / AlGaN发光二极管
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:具有p-GaN / n-GaN / p-GaN / n-GaN / p-GaN电流扩散层的改进型InGaN / GaN发光二极管