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机译:勘误:无催化剂生长的GaN(0001)纳米线中的单分散(In,Ga)N插入(Nanotechnology)
机译:勘误:无催化剂生长的GaN(0001)纳米线中的单分散(In,Ga)N插入(Nanotechnology)
机译:勘误表:m平面InGaN / GaN量子盘上GaN纳米金字塔的选择性自组装和表征(Nanotechnology(2012)23(405602))
机译:勘误表:“通过X射线衍射分析自感应GaN纳米线中InxGa1-xN / GaN超晶格的生长”。物理来吧98,261907(2011)]
机译:0001 GaN纳米线的结构和电性能
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:在原始GaN(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格中应变弛豫的特殊性:XRD和AFM的比较研究
机译:在非平面(0001)衬底上尺寸和位置受控的GaN / AlGaN纳米线的选择性分子束外延生长及其生长机理
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。