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机译:勘误表:m平面InGaN / GaN量子盘上GaN纳米金字塔的选择性自组装和表征(Nanotechnology(2012)23(405602))
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机译:在GaN纳米棒顶部生长的InGaN / GaN多量子盘的量子限制斯塔克效应
机译:洞察原子和纳米级铟分布对在m平面独立GaN衬底上生长的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:绿色发射半极性{1011} Ingan / GaN MQWS在GaN Nanopylamid阵列上选择的制造和光学性质
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:洞察原子和纳米级铟分布对在M平面独立GaN基材上生长的Ingan / GaN量子井结构的光学性质的影响