机译:低至CMOS兼容温度的Si衬底上GaAs纳米线的液滴限制交替脉冲外延。
nanowire; self-catalyzed; pulsed epitaxy; GaAs; Si substrate;
机译:低至CMOS兼容温度的Si衬底上GaAs纳米线的液滴限制交替脉冲外延。
机译:金属有机气相外延法在GaAs /(111)Si异质衬底上合成垂直取向的GaAs纳米线
机译:纳米尺度生长中选择性外延的各向异性:通过分子束外延选择性生长在SiO_2图案(001)衬底上的GaAs纳米线
机译:用拉曼光谱法测量脉冲辅助气体外延生长的金辅助生长的GaAs纳米线的结构表征
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:分子外延生长在Gaas和硅衬底上的低温Gaas的光电性能。