MOVPE法によるエピタキシャルAlN／サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価

摘要

サファイアC面基板上に成膜した高品質なエビタキシャルAlNをテンプレートとして用い、MOVPE 法によりAlGaN/GaNヘテロ構造を作製した。 従来から用いられている低温バッファ層上に成膜したものに比べ高い移動度（8241cm{sup}/Vs@15K，シートキヤリア濃度12×10{sup}13cm{sup}(-2)）を示し、良好な結晶性((0004)，(2024))X線ロッキンカーブ半値幅77,239arcsec）を示した。 加えてFET特性においてもゲート長2μmにおいて最大相互コンダクタンス214mS/mmと良好な特性を示した。 エピタキシャルAlN上に成膜したGaN結晶の品質が高いことがこの良好な特性の原因と考えられる。