100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器

摘要

新規3層キャップ構造とリセスゲート構造を用いることにより、高耐圧、高いドレイン電流密度、低い電流コラプスを満たすエンハンスメント·モード動作AlGaN/GaN HEMTを作製した．閾値電圧は+0.25V、破壊耐圧は336V、最大ドレイン電流密度は520mA/mmが得られた．3層キャップ構造はGaN/AlN/GaNにて構成されており、ピエゾ分極の効果によりシート抵抗を低減している．本研究のHEMTの増幅器としての出力は2.5GHzにおいて1チップで126Wに達し、良好な歪特性も得ることができた．今後は、本構造を短ゲート素子へ展開することにより、高出力ミリ波帯増幅器の実現を目指す．