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【24h】

サブスレッショルド回路における基板バイアスを考慮したトランジスタのばらつきモデリングとリングオシレータを用いた検証

机译:考虑亚阈值电路中衬底偏置的横向变化建模和使用环形振荡器的验证

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摘要

本稿では,90nmプロセスで試作したテストチップを用いて,サブスレッショルド回路における製造ばらつきのモデリングと基板バイアスによる回路性能制御性の評価を行う.試作した測定回路は,トランジスタ単体特性を測定する回路とリングオシレータの発振周期を測定する回路をアレイ状に配置したものである.本回路を用いて,トランジスタ特性測定からばらつきモデルを抽出し,リングオシレータの発振周期測定の結果を用いてばらつきモデルの検証行う.また,基板バイアスについても同様の検証を行い,基板バイアスによる性能制御性のモデリングを行う.
机译:在本文中,我们使用在90nm工艺中原型化的测试芯片来对亚阈值电路中的制造变化进行建模,并评估由于衬底偏置而导致的电路性能可控性。原型测量电路是测量单个晶体管特性的电路阵列和测量环形振荡器振荡周期的电路。使用该电路,从晶体管特性测量中提取变化模型,并使用环形振荡器振荡周期测量的结果来验证该变化模型。另外,对衬底偏置进行相同的验证,并且对通过衬底偏置的性能可控性进行建模。

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