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サブスレッショルド回路における基板バイアスを考慮したトランジスタのばらつきモデリングとリングオシレータを用いた検証

机译:考虑亚阈值电路中的基板偏压,使用晶体管变形建模和环形振荡器验证

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摘要

本稿では,90nmプロセスで試作したテストチップを用いて,サブスレッショルド回路における製造ばらつきのモデリングと基板バイアスによる回路性能制御性の評価を行う.試作した測定回路は,トランジスタ単体特性を測定する回路とリングオシレータの発振周期を測定する回路をアレイ状に配置したものである.本回路を用いて,トランジスタ特性測定からばらつきモデルを抽出し,リングオシレータの発振周期測定の結果を用いてばらつきモデルの検証行う.また,基板バイアスについても同様の検証を行い,基板バイアスによる性能制御性のモデリングを行う.
机译:在本文中,我们使用90nm过程中的测试芯片原型化,以评估亚阈值电路的制造变化和基板偏压的电路性能控制的建模。 原型测量电路是用于测量晶体管单个特性的电路和环形振荡器振荡循环的电路阵列。 使用该电路,从晶体管特性测量提取变形模型,并且使用环形振荡器的振荡循环测量的结果来验证变化模型。 此外,对基板偏置执行相同的验证,并执行由衬底偏压进行性能控制特性的建模。

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