p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用

摘要

分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×10~(17) cm~(-3)以上において、正孔濃度が増加するにつれて、p-GaPNのバンド端近傍の発光強度およびバンド端近傍における実効減衰寿命は減少した。これらの結果は、正孔濃度に対応するMg濃度の増加により、非発光再結合中心が増加することを示すと考えられる。格子整合系Si上レーザの実現に向けた、変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸に適用するMg添加p-GaPNの適切な正孔濃度は、1×10~(17) cm~(-3)以下であることを実現的に示した。