p-GaPN の発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用

摘要

We investigated the luminescence properties of Mg-doped p-GaPN alloys grown by molecular beam eitaxy (MBE). The near band edge emission intensity and the effective decay lifetime decrease with increasing the hole concentration of above 1×10~(17) cm~(-3). These results indicate non-radiative recombination centers increase with increasing the Mg concentration corresponding to the hole concentration. It was shown that the appropriate hole concentration of the Mg-doped p-GaPN barrier layer which applied to modulation doped highly-strained GaAsN/GaPN quantum wells is less than 1 × 10~(17) cm~(-3).%分子線エビタキシー（MBE）法により成長したMg 添加p-GaPN の発光特性を検討した。正孔濃度1×10~(17)cm~(-3) 以上において、正孔濃度が増加するにつれて、p-GaPN のバンド端近傍の発光強度およびバンド端近傍における実効減衰寿命は減少した。これらの結果は、正孔濃度に対応する Mg 濃度の増加により、非発光再結合中心が増加することを示すと考えられる。格子整合系 Si 上レーザの実現に向けた、変調ドープ GaAsN/GaPN 高歪量子井戸に適用する Mg 添加 p-GaPN の適切な正孔濃度は、1×10~(17)cm~(-3)以下であることを実現的に示した。