B{sub}18H{sub}22注入のミリ秒アニールに対する適用性

摘要

B{sub}18H{sub}22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。 ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにおいて、SDE注入を従来のBF{sub}2からB{sub}18H{sub}xに置き換えることが可能であることがわかった。 さらにミリ秒アニール単独の条件ではシート抵抗、接合深さ、接合リーク電流の観点からB{sub}18H{sub}x注入がB注入、BF{sub}2注入およびGe-PAIをともなうB注入の条件と比べて有利であることがわかった。