B_(18)H_(22)注入のミリ秒アニールに対する適用性

摘要

We investigated the application properties of cluster implantation for milli-second annealing processing. We successfully replaced BF_2 with B_(18)H_(22) to SDE implantation in pMOSFETs with the activation processing of MSA and spike-RTA. In the activation processing with only MSA, we found that B_(18)H_(22) implant is more advantageous from the viewpoint of R_s, X_j and leakage current, compared to B, BF_2 and B with Ge-PAI.%B_(18)H_(22)注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにおいて、SDE注入を従来のBF_2からB_(18)H_xに置き換えることが可能であることがわかった。さらにミリ秒アニール単独の条件ではシート抵抗、接合深さ、接合リーク電流の観点からB_(18)H_x注入がB注入、BF_2注入およびGe-PAIをともなうB注入の条件と比べて有利であることがわかった。