SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法

摘要

本稿では、SRAMのランダムマージン不良を用いたチップ固有ID生成回路の安定化手法について述べる。提案する出荷前のスクリーニングテストを適用することにより、チップ固有ID生成時の動作環境の変化に対する高い耐性を実現することが可能となる。40nmプロセスを用いたTEGチップの実測結果により、128bitのチップ固有IDを生成する場合において、チップ固有IDの安定性およびハミング距離が、それぞれ100％、63.7になることを確認した。200MHz動作時において、チップ固有ID生成時間は10us以下となった。