SRAMのランダムァドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法

摘要

A stable chip-ID generating scheme using random failure bits in an SRAM array is proposed. Combining with a new screening test before shipping products, we realize high-tolerance against variability of operating condition. Measured data confirm that the stability and average of Hamming distance of 128 bit chip-ID achieve 100% and 63.7, respectively. The chip-ID generating time becomes less than 10us at 200 MHz operation.%本稿では、SRAMのランダムマージン不良を用いたチップ固有ID生成回路の安定化手法について述ベる。提案する出荷前のスクリーニングテストを適用することにより、チップ固有ID生成時の動作環境の変化に対する高い耐性を実現することが可能となる。40nmプロセスを用いたTEGチップの実測結果により、128bitのチップ固有IDを生成する場合において、チップ固有IDの安定性およびハミング距離が、それぞれ100%、 63.7になることを確認した。200MHz動作時において、チップ固有ID生成時間は10us以下となった。