用于提高芯片内SRAM PUF稳定性的电路装置及方法

摘要

本发明提供一种用于提高芯片内SRAM PUF稳定性的电路装置及方法，电路装置包括多个并列连接的PMOS管，所有PMOS管的栅极均连接芯片内部逻辑控制信号Vg，所有PMOS管的源极均连接芯片内SRAM阵列供电电源输入端，所有PMOS管的漏极均连接芯片内部供电电源。本发明利用PMOS管阵列为芯片内SRAM阵列供电，且提出对应的控制开启和关闭的方式，保证每次SRAM上电时，SRAM供电电源快速从0V上升到正常工作电压，缩短SRAM供电电源在CMOS电路易受干扰的电压段(300～500mV)停留时间，提高芯片内部SRAMPUF稳定性。