多重電圧·電流読み出し動作を用いた線形応答超広ダイナミックレンジCMOSイメージセンサ

摘要

画素·列容量値，各動作の蓄積時間，多重露光回数を最適に設計することで，超広ダイナミックレンジ，高S/N，高フレームレートを同時に実現する最適設計論に基づき，0.18μm 2P3M CMOSプロセスを用いた，光学フォーマット1/3インチ，画素サイズ5.6μm角，有効画素数800{sup}H×600{sup}VのカラーCMOSイメージセンサを設計·試作し，横型オーバーフロー蓄積を用いた電圧読み出し動作に多重露光を組み合わせ，さらに，列容量を用いた電流読み出し動作を合わせて行うことで，ダイナミックレンジ207dB，全動作切替え点でグレー18％においてS/N26dB，トータルフレームレート1/13secを実現した．