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【24h】

貫通電流の削減によるCMOSディジタル集積回路の消費電力と遅延時間の最小化技術

机译:通过降低直通电流来最小化CMOS数字集成电路的功耗和延迟时间的技术

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摘要

大規模CMOSディジタル集積回路の動作時消費電力と信号遅延時間を最小化する方法を提案する。 解析にあたり、プレ回路段、駆動回路段、負荷回路段の3段で構成される評価回路を0.18μm CMOS技術で設計·試作した。 プレ回路段、駆動回路段、負荷回路段はそれぞれ1個、m個、N個のインバータで構成されている。 従って、1個のプレインバータがm個の駆動インバータを駆動し、1個の駆動インバータがn(N/m)個の負荷インバータを駆動する。SPICE解析結果と実測結果より、評価回路全体の総消費電力(P{sub}t)のm依存性は、mの増加により緩やかに単調増加する充放東電流(I{sub}(cd))による消費電力(P{sub}(cd))より、mの増加により最初は急激に減少し、次に緩やかに増加する貫通電流(I{sub}(sc))による消費電力(P{sub}(sc))に強い影響を受ける、と言うことがわかった。 これより、P{sub}tを最小化するには、P{sub}(sc)を最小化すればよく、そのmの値はおおよそN{sup}(0.5){=(m×n){sup}0.5=n)で与えられることが明らかになった。 同様に、評価回路全体の総遅延時間(t{sub}(dt))を最小化するには、mの増加により線形に増加するプレ回路段の遅延時間(t{sub}(d1))とmの増加により急激に滅少する駆動回路段の遅延(t{sub}(d2))の和を最小化すればよく、そのmの値は、やはり、おおよそN{sup}0.5で与えられることが明らかになった。
机译:我们提出了一种使大规模CMOS数字集成电路的工作功耗和信号延迟时间最小化的方法。为了进行分析,我们使用0.18μmCMOS技术设计并原型化了一个评估电路,该电路由三个阶段组成:前电路阶段,驱动电路阶段和负载电路阶段。前置电路级,驱动电路级和负载电路级分别由1个,m个和N个反相器组成。因此,一个预逆变器驱动m个驱动器逆变器,一个驱动逆变器驱动n个(N / m)负载逆变器。从SPICE分析结果和实际测量结果来看,整个评估电路的总功耗(P {sub} t)的m依赖性随着m充电东电流(I {sub}(cd))的增加而逐渐单调增加。从通行电流(I {sub}(sc))的功耗(P {sub}(cd))开始,功耗(P {sub})首先随着m的增加而急剧下降,然后逐渐增加。事实证明,它受到(sc)的强烈影响。据此,为了使P {sub} t最小,应使P {sub}(sc)最小,并且m的值大约为N {sup}(0.5){=(m×n){显然,它由sup} 0.5 = n)给出。类似地,为了最小化整个评估电路的总延迟时间(t {sub}(dt)),使用了预电路级的延迟时间(t {sub}(d1)),该延迟时间随m的增加呈线性增加。随着m的增加,驱动电路级延迟的总和(t {sub}(d2))会迅速减小,并且m的值仍应设为大约N {sup} 0.5。变得清楚了。

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