首页> 中国专利> 低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源

低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源

摘要

低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源,通过给出PTAT电流产生的新方式,能够精简掉原有结构中的运放及电流镜,并采用电阻在带隙基准源的输出端对PTAT电流进行分流,从而有利于实现低成本、低功耗、高精度的CMOS低压带隙基准电压源,其特征在于,包括带隙基准电压输出端,所述带隙基准电压输出端分别连接第一电阻的一端,第二电阻的一端,第三电阻的一端,和第二三极管的基极,所述第一电阻的另一端分别连接第六PMOS管的漏极和第一三极管的基极,所述第六PMOS管的源极连接电源电压端,所述第二电阻的另一端连接第三三极管的集电极,所述第三三极管的集电极与基极互连,所述第三三极管的发射极连接接地端,所述第三电阻的另一端连接接地端。

著录项

  • 公开/公告号CN112394766A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 圣邦微电子(北京)股份有限公司;

    申请/专利号CN201910762985.4

  • 发明设计人 谢程益;王野;闫守宝;于翔;

    申请日2019-08-19

  • 分类号G05F3/16(20060101);

  • 代理机构11129 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴小灿

  • 地址 100089 北京市海淀区西三环北路87号13层3-1301

  • 入库时间 2023-06-19 09:57:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-12

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号