一种低电压带隙基准电压源的设计

摘要

分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性.给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法,该电路采TSMC0.13 μm CMOS工艺实现,通过Cadence Spectre仿真结果表明,该电路产生的600mV电压在-30～100℃范围内的温度系数为12×10-6/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)可达-81 dB,可在1～1.8V范围内能正常工作.