Bitline/Plateline Reference-Level-Precharge Scheme for High-Density ChainFeRAM

摘要

ChainFeRAMは、高速·高密度を実現する強誘電体メモリとして有望である。 本論文はChainFeRAM のための、新しい読出し動作方式を提案する。提案する方式では、(1)待機時:ビット線とプレート線をVssでは無くリファレンス電位にプリチャージ、(2)動作時:ダミーCapを用いて読出しビット線をPull-Downし、プレート線をPull-upすることにより、選択セルキャパシタに電圧を印加してデータを読み出す。 提案方式により、ChainFeRAM の問題であったセルトランジスタの信頼性低下と信号量のロスを抑えられる。 又、アクセス速度を低下させる事無くアレイ動作電流を10%低減出来た。