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用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取操作的接地电平预充电位线方案

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摘要

本发明揭示用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的读取操作的系统、电路和方法。提供多个位单元，其每一者耦合到多个位线、字线和源极线中之一。对应于所述多个位线中之一的多个预充电晶体管经配置以在读取操作之前将所述位线放电到接地。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-10-16

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C11/16 申请公布日:20101103 申请日:20081017

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-12-15

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20081017

实质审查的生效
2010-11-03

公开

公开

1. 用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取操作的接地电平预充电位线方案 [P] . 中国专利： CN101878506A . 2010-11-03
2. 用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取和写入的字线晶体管强度控制 [P] . 中国专利： CN101641746A . 2010-02-03
3. Ground Level Precharge Bit Line Scheme for Read Operation in Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory [P] . 美国专利： US2009103354A1 . 2009-04-23

机译：自旋转移转矩磁阻随机存取存储器中读操作的地电平预充电位线方案
4. Bit line voltage control in spin transfer torque magnetoresistive random access memory [P] . 美国专利： US8027206B2 . 2011-09-27

机译：自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的位线电压控制
5. GROUND LEVEL PRECHARGE BIT LINE SCHEME FOR READ OPERATION IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY. [P] . MX2010004187A . 2010-05-14

机译：地层预充电位线方案，用于旋转传递扭矩磁致电阻随机存取存储器中的读取操作。