めつきによる表面処理技術--半導体チップへのめつき技術の開発

摘要

半導体チップの三次元実装については、小型化、積層化、低コスト化が可能なウエハレベルのSiPが最も有力視される。㈱野毛電気工業では平成15年からSiPに関する研究実績を踏まえて、低コスト、かつ、環境負荷の少ないSiPの製造方法を研究してきた。本開発は、フヱトン㈱と関東学院大学と共同研究することにより、三次元実装において、レーザー括加工法により形成した多穴の深さの異なるビアを同時にめっきで充填し、かつ、配線加工できる技術を確立し、新しいSiPの製造方法を確立することを目的とした。