法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-08-13
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-09-27
授权
授权
2005-02-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-12-08
公开
公开
机译: 使硅衬底的表面粗糙化的方法,粗糙化的衬底以及包括粗糙化的衬底的光伏电池
机译: 使硅衬底的表面粗糙化的方法,粗糙化的衬底和包括粗糙化的衬底的光伏电池
机译: 在半导体生产中使用的在衬底表面内/上的氧化物层的生产包括结构化衬底表面,以及热氧化衬底表面以形成氧化物层。