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回路理論の応用による変調超格子の準通過域形成に関する一考察

机译:应用电路理论研究调制超晶格半通过区域的形成

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摘要

優れたエネルギーフィルタ性能を有する変調超格子は,通過域,阻止域に加えて離散的な鋭いピーク群からなる準通過域を形成する場合がある.準通過域は,フィルタ性能の低下を招くバンドであるので,その形成は好ましくない.したがって,準通過域の形成メカニズムの解明および準通過域除去手法の確立が望まれる.本論文では,回路理論の応用による変調超格子の等価表現に基づき,準通過域の形成メカニズムに関する考察を行った.
机译:具有优异的能量滤波器性能的调制超晶格可能会形成由通过区域和阻挡区域之外的离散的尖峰组成的准通过区域,准通过区域是导致滤波器性能下降的频带。因此,其形成是不理想的,因此,需要阐明准通过区域的形成机理,并建立一种去除准通过区域的方法,在此基础上,应用电路理论,以调制超晶格的等效表示为基础。我们考虑了准通道带的形成机理。

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