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【24h】

高圧マイクロジェット(HPMJ)を用いたCMPパッドコンディショニングに関する研究-蛍光スラリーを利用したパッド溝内のスラリー残透の洗浄性確認

机译:高压微喷(HPMJ)进行CMP抛光垫处理的研究-使用荧光浆料确认抛光垫凹槽中浆料残留渗透性的清洁性

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摘要

半導体製造プロセス中のChemical Mechanical Polishing (CMP)において,パッド溝に蓄積したスラリー残渣がパッド表面に出て,半導体デバイスにマイクロスクラッチ等の不良を生じさせるという問題がある.本研究においては,この問題を解決するために,高速度の微小液滴をパッドに噴射する高圧マイクロジェット(High Pressure Micro Jet以下HPMJ)によるパッドコンディショニングによるパッド溝内部の清浄化方法を提案する.このパッド溝内部の清浄化の確認実験として,蛍光発光体を添加したスラリーを擬似的にパッド溝に堆積させ,それにUV光を照射し,その反射光を検出するUV-Enhanced Fluorescence (UVEF)法を用いて,提案したHPMJコンディショニングと従来用いられているダイヤモンドコンディショニングを比較した.その結果パッドの溝口が狭いものに関して,HPMJコンディショニングの優位性を見出したので報告する.
机译:在半导体制造过程中的化学机械抛光(CMP)中,存在以下问题:积聚在焊盘凹槽中的浆料残留物出现在焊盘表面上,并导致诸如半导体器件中的微划痕之类的缺陷。在这项研究中,为了解决这个问题,我们提出了一种通过使用高压微射流(HPMJ)进行护垫修整来清洁护垫凹槽内部的方法,该方法将高速微滴注入到护垫上。作为对焊盘凹槽内部清洁的确认实验,紫外增强荧光(UVEF)方法用于通过以下方式检测反射光:将添加荧光发射剂的浆料以假方式沉积在焊盘凹槽中,然后用UV光照射。拟议的HPMJ调理与常规使用的金刚石调理进行了比较。结果,我们发现了HPMJ调理对于那些具有窄焊盘凹槽的人的优越性。

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