KBr基板上に作成されたバナジルフタロシアニン単結晶膜の成長過程、成長機構、非線形光学特性

摘要

KBr(100) 基板上に異なる基板予備加熱温度でバナジルフタロシアニン(VOPc) 薄膜を作成した。 作成されたVOPc薄膜の成長過程、成長機構、非線形光学特性が可視·紫外光(Vis/UV) 吸収スペクトル、走査型電子顕微鏡(SEM) 像、メーカー·フリンジ法で測定された第2次高調波(SH) ·第3次高調波(TH) 強度の入射角依存性から検討された。 25℃の基板予備加熱温度で作成されたVOPc薄膜では、多数の微結晶が観察された。 200℃の基板予備加熱温度で作成されたVOPc薄膜では、微結晶の数が減少し、大きな単結晶が観察された。 基板予備加熱温度の上昇により、基板上の結晶の核となる吸着分子が除去されることを示した。