AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析

摘要

AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチオフ電圧以下のドレイン電流の温度依存性からGaN層中に活性化エネルギー0.15，0.5eVの2種類のトラップがあり，電子は空間電荷制限機構により電導していることがわかった．次にこれらの実測値を参考にTCADシミュレーションを実施した．その結果，トラップが存在することで，ドレインリーク電流が抑制されることがわかった．これは，トラップが負に帯電することで，伝導帯エネルギーが上昇し，電子に対する障壁が増加するためである．