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机译:GaN / AlN量子点的光学性质
Quantum dot; GaN/AlN; Wurtzite phase; LIGHT-EMITTING-DIODES; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; III-V NITRIDES; FINE-STRUCTURE; BIEXCITON LUMINESCENCE; ELECTRIC-FIELD; MU-M; GAN; WELLS; PHOTOLUMINESCENCE;
机译:磁场对具有恒定总有效半径的GaN / AlN多阱量子环和点的线性光学特性的影响
机译:转载:在非极性平面上生长的纤锌矿型GaN / AlN量子点的光学性质:堆垛层错在减小内部电场中的作用
机译:自发和压电极化场对GaN / AlN量子点中电子和光学性质的影响:数百万个原子的sp3d5s *紧密结合模拟
机译:原子和内极化对GaN / AlN量子点的电子和光学性质的影响:数百万原子耦合的VFF MM-sp 3 sup> d 5 sup> s ∗ < / sup>紧密绑定模拟
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:在MOCVD中通过GaN热分解制备低密度GaN / AlN量子点
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