内建电场和流体静压力对GaN量子点中激子光学性质的影响

摘要

在有效质量和偶极矩近似下,考虑自发和压电极化产生的内建电场(BEF)、晶格失配产生的应变及外加流体静压力对材料参数的调节,采用变分法和密度矩阵法,研究了内建电场及外加流体静压力对应变纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中激子光跃迁吸收系数和线性光折射率变化的影响。结果表明:内建电场使激子光跃迁吸收峰强度和线性光折射率变化范围减小,光跃迁吸收峰及线性光折射率变化的两个峰值向低能方向移动,发生明显红移,且三元混晶中Al的含量越高,红移量越大;流体静压力减小了激子光跃迁吸收峰强度和线性光折射率的变化范围,使光跃迁吸收峰及线性光折射率变化的两个峰值向高能方向移动,出现蓝移.