Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP

摘要

Исследовано отражение инфракрасного излучения в диапазоне длин волн 1000--2200 нм подложками n-InP с glqq тыльнымgrqq зеркалом MgF2/Au. Установлено, что величина коэффициента отражения слабо зависит от толщины подложек и концентрации свободных носителей в диапазоне (0.1-6)· 1018 см-3. Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии цинка и фосфора из газовой фазы получены термофотоэлектрические преобразователи на основе изопериодической гетероструктуры InP--In0.53Ga0.47As p-n- и n-p-полярности. Показано, что p-n- и n-p-термофотоэлементы с одинаковой конфигурацией контактов площадью 1 см2 имели следующие характеристики: напряжение холостого хода Uoc=0.465 B и фактор заполнения FF=64% при плотности тока 1 A/см2, коэффициент отражения R=76-80% для длин волн >1.86 мкм.