公开/公告号CN113972292A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202110333443.2
申请日2021-03-29
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/09(20060101);H01L31/18(20060101);H01L33/00(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/30(20100101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构
代理人
地址 210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道168号
入库时间 2023-06-19 14:00:21
机译: 一种基于iii / v-半导体生产inp-,-异质结构双极晶体管的方法
机译: 一种基于iii / v-半导体生产inp-,-异质结构双极晶体管的方法
机译: 基于高电阻率硅衬底的可调谐电磁带隙结构