首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd_2Si-n~+-Si, подвергнутых микроволновому облучению
【24h】

Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd_2Si-n~+-Si, подвергнутых микроволновому облучению

机译:微波辐照欧姆接触Au-Ti-Pd_2Si-n〜+ -Si的接触电阻的温度依赖性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления R_c, омического контакта Au-Ti-Pd_2Si-n~+-Si предложен механизм токопереноса, объясняющий растущие c повышением температуры измерения в диапазоне 100-380 K величины R_c, наблюдаемые экспериментально. Показано, что микроволновая обработка таких контактов приводит к уменьшению разброса R,. по пластине и уменьшению величины R_c при сохранении роста R_c в диапазоне температур 100-380k.
机译:基于对接触电阻R_c,欧姆接触Au-Ti-Pd_2Si-n〜+ -Si的温度依赖性的理论分析,提出了一种电流传输机制,该机理解释了实验观察到的R_c值随着测量温度在100-380 K范围内的增加而增加。结果表明,这种接触的微波处理导致R的展宽减小。并在100-380k的温度范围内保持R_c的增长的同时降低R_c的值。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号