Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчато изменяемого состава Обзор

摘要

Гетерострукгуры GeSi/Si, состоящие из пластически релаксированного слоя с разной долей Ge, выращенного на Si(001), перекрывают параметр решетки от равного кремнию до равного германию. Такие подложки принято называть искусственными. За последние годы разработан ряд методик выращивания совершенных слоев GeSi, вплоть до 100% Ge на подложках Si (001) через промежуточный слой GeSi переменного состава. Однако во многих случаях для практических применений желательно иметь супергонкие (< 1 мкм) слои GeSi и Ge непосредственно на подложке Si(001), Авторы анализируют результаты новых методик, таких как использование в пластической релаксации гетероструктур типа GeSi/Si(001) низкотемпературного (300-400°С) буферного слоя Si, а также поверхностно-активных примесей - сурфактантов (сурьма, водород). Рассмотрены примеры искусственного введения центров зарождения дислокаций несоответствия, альтернативного их введению с шероховатой поверхности Авторы приходят к выводу, что для расширения возможностей выращивания совершенных пластически релаксированных пленок GeSi(OOl) необходимо: а) иметь возможность дозированного создания центров зарождения дислокаций несоответствия и б) замедлить или полностью подавить переход механизма роста от двух- к трехмерному, чтобы затормозить зарождение дополнительных дислокаций несоответствия с поверхности напряженной пленки и соответственно дополнительных пронизывающих дислокаций.