Исследование роста и фотоэлектрических свойств эгштаксиальных гетероструктур Ge-(Ge_2)_(1-x)(GaAs)_x (0 ≤ x ≤ 1.0), полученных из свинцового раствор

摘要

РОСТ широкозонного слоя CaAs на германиевых подложках осуществлялся методом жидкофазной эпитаксии из свинцового раствора-расплава в температурном интервале 700 ÷ 650° С. Исследованы распределения химических компонентов по толщине эпитаксиального слоя. Согласно растровым картинам, снятым на характеристических рентгеновских излучениях, слои структурно совершенны, а распределение компонентов как по толщине, так и вдоль границы раздела достаточно монотонное, макроскопические дефекты и металлические включения отсутствуют. Были изучены спектры фотолюминесценции. На спектрах твердых растворов наблюдаются пики краевых полос с максимумами при hv_1 = 1.32 eV и hv_2 = 1.43 eV.